機能性酸化物ウェハ、パワーエレクトロニクス用SiCウェハ中の極微量元素分析

SiCウェハの微量表面金属不純物の高感度定量分析

  • パワーデバイスの電気特性に大きく影響する、SiCウェハの表面汚染物質の分析が可能です。清浄度評価項目として超微量不純物の定量分析が不可欠です。
  • 極微量不純物定量技術を応用し、Siなどの半導体基板・ウェハや材料表層の金属不純物の迅速かつ高感度な定量、定性分析結果を提供します。

分析事例

ICP-MS(ICP質量分析)を用い、65元素の定性(半定量)分析した後、指定した元素を定量分析します。

対象元素によりますが、10 9 atoms/cm2~10 12 atoms/cm2の検出下限での分析が可能です。(3inchウェハ両面分析時)

分析手順

分析手順
クリーンルーム内での試料調製・測定 クリーンルーム内での試料調製・測定
ICP質量分析法(ICP-MS) ICP質量分析(ICP-MS)

定性(半定量)分析での定量下限

定性(半定量)分析での定量下限

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