電子材料・半導体の構造解析

パワーデバイス、メモリ・太陽電池、MEMS(Micro Electro Mechanical System)、LED・有機EL、有機エレクトロニクスなど、電子材料・半導体材料・電子部品の機能(※1)は、ウエハ・エピタキシャル層(エピ層)などの原料と、各種薄膜プロセス(※2)との組み合わせで現われます。

さらにこれらを組み合わせて実装部品・モジュール化します。これらデバイスの材料設計、故障解析のために必要な構造解析技術を提供します。

※1)機能:
電気・電子特性、ダイオード特性、スィッチング特性、電気伝導性、絶縁性、誘電性、圧電性、光学特性(発光・ルミネッセンス、吸収)などを指します。
※2)薄膜プロセス:
エッチング、蒸着、熱処理、イオン注入、拡散などの製造プロセスを指します。

ウエハ・エピタキシャル層(平均組成・不純物、応力、欠陥)

ウエハ・エピタキシャル層の、平均組成分析、局所欠陥観察、応力評価などを対応いたします。

結晶構造解析

  • ラマン分光を用いた残留応力評価
  • EBSPを用いた多結晶Siの方位解析
  • ULV-SEM-CLを用いたSiC、GaNウエハ・エピ層の欠陥の観察
 

デバイス微細構造(薄膜・めっき、エッチング、拡散、イオン注入、熱酸化)

薄膜形成、エッチング、拡散、イオン注入などによる、各種皮膜・界面の観察、元素分布(面内・深さ方向)、化学状態変化を調べます。

結晶構造解析

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JFEテクノリサーチ株式会社 営業本部