表面分析

表面分析概要

2006年導入した極低加速電圧SEM
2006年導入した極低加速電圧SEM

金属、半導体、セラミックス、炭素、有機物など各種材料のナノレベルの最表面の元素分析、化学状態分析を行うことができます。これら元素の深さ方向分布の測定も可能です。
LSEM（極低加速電圧走査電子顕微鏡）は、無蒸着で極表面の観察と高い空間分解能の元素分析ができます。

主要設備

極低加速電圧SEM
（極低加速電圧走査電子顕微鏡）		 加速電圧/0.1～30kV、EDS分析深さ/数10nm～数μm、二次電子像・反射電子像、線分析、マッピング分析、結晶方位解析（EBSP)
AES, FE-AES
（オージェ電子分光分析）		 分析領域/～数10μm、分析深さ/～5nm、元素定性分析、面分析、マッピング分析、深さ方向元素分析
XPS
（X線光電子分光分析）		 分析領域/数10μm～数100μm、分析深さ/5nm、元素定性分析、 面分析、深さ方向元素分析
SIMS
（二次イオン質量分析）		 分析領域/数10μm～数100μm、分析深さ～5nm、分析感度/数ppm、元素定性分析、面分析、マッピング分析、深さ方向元素分析
GDS
（グロー放電発光分光分析）		 分析領域/数mm、深さ方向元素分析
EPMA
（電子線プローブマイクロアナリシス）		 分析領域/数μm、分析深さ/数μm、元素定性分析、面分析、線分析、マッピング分析
FE-EPMA
（電界放出型電子線マイクロアナリシス）		 FE-EPMA:分析領域/150nm、分析深さ/150nm、元素定性分析、面分析、線分析、マッピング分析
Raman
（ラマン散乱分光分析）		 分析領域/数μm、分析深さ/数100nm、状態分析、有機材料分析

トピックス

  1. 極低加速電圧SEM
  2. FE-EPMA（電界放出型電子線マイクロアナライザ）

解析事例

事例 主な使用装置
極低加速電圧SEMを用いた表面・断面の観察、EDS分析 極低加速SEM
鋼材のボロン粒界偏析のマッピング分析 SIMS
非晶質WO3薄膜の電子状態解析 XPS
缶用スズめっき鋼板のCr形態分析 XPS
鋼材のリン粒界偏析の分析 AES
鋼板上のSi酸化物/金属Si深さ方向分析 AES
低合金鋼の腐食生成物の元素マッピング分析 EPMA
リレー接点･電極の付着物調査
バルブのOリング粉付着が原因。Oリングの材質変更で解決。		 IR(FTIR)
ドラム缶内部の異物調査
複数種の有機物（油）を検出。製造工程で混入。工程改良で解決。		 IR(FTIR)
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