超高分解能TEMにより初めて、原子・分子を制御する最先端の機能性材料の観察が可能です。 超高分解能TEMと従来のFE-TEMでSi(110)を観察した例です。超高分解能TEMを用いることで、Si(110)における0.136nmの最近接構造(dumbbell)が明確に識別できました。

超高分解能TEMにより初めて、原子・分子を制御する最先端の機能性材料の原子レベルの観察が可能です。従来TEMでは見分けられないGa-As対・Al(Ga)-As対が観察できています。GaAs層のGa-As対の強度は対称ですが、AlGaAs層のAl(Ga)-As対は非対称であり、Ga, Al, Asのサイトを見分けています。

超高分解能TEMとEDXやEELS分析とを組み合わせることにより、 10nm以下の複雑な構造を有する材料でも、原子レベルで設計どおりか、どこに不具合が生じているのかを解析できます。 GaAs/AlGaAs超格子において、30nmのGaAs層とAlGaAs層とを明瞭に分離できています。

LSIのコンタクト部に形成させた様々な構造(10nm程度のNiシリサイド,SiNやSiO2など)が確認できました。
