微量分析
機能性酸化物ウェハ、
パワーエレクトロニクス用SiCウェハ中の極微量元素分析
ページ内メニュー
SiCウェハの微量表面金属不純物の高感度定量分析
- パワーデバイスの電気特性に大きく影響する、SiCウェハの表面汚染物質の分析が可能です。清浄度評価項目として超微量不純物の定量分析が不可欠です。
- 極微量不純物定量技術を応用し、Siなどの半導体基板・ウェハや材料表層の金属不純物の迅速かつ高感度な定量、定性分析結果を提供します。
分析事例
ICP-MS(ICP質量分析)を用い、65元素の定性(半定量)分析した後、指定した元素を定量分析します。
対象元素によりますが、10 9 atoms/cm2~10 12 atoms/cm2の検出下限での分析が可能です。(3inchウェハ両面分析時)
分析手順



定性(半定量)分析での定量下限

作業の流れ

関連ページ・関連リンク
このページに関する
お問い合わせはこちらから
- JFEテクノリサーチ株式会社 営業本部
- 0120-643-777