• HOME
  • 分析
  • 化学分析
  • 機能性酸化物ウェハ、パワーエレクトロニクス用SiCウェハ中の極微量元素分析

微量分析

関連メニュー

機能性酸化物ウェハ、
パワーエレクトロニクス用SiCウェハ中の極微量元素分析

SiCウェハの微量表面金属不純物の高感度定量分析

  • パワーデバイスの電気特性に大きく影響する、SiCウェハの表面汚染物質の分析が可能です。清浄度評価項目として超微量不純物の定量分析が不可欠です。
  • 極微量不純物定量技術を応用し、Siなどの半導体基板・ウェハや材料表層の金属不純物の迅速かつ高感度な定量、定性分析結果を提供します。

分析事例

ICP-MS(ICP質量分析)を用い、65元素の定性(半定量)分析した後、指定した元素を定量分析します。

対象元素によりますが、10 9 atoms/cm2~10 12 atoms/cm2の検出下限での分析が可能です。(3inchウェハ両面分析時)

分析手順

定性(半定量)分析での定量下限

作業の流れ

このページに関する
お問い合わせはこちらから

JFEテクノリサーチ株式会社 営業本部
0120-643-777

0120-643-777

月~金:9:00~17:30(祝祭日を除く)

?
  • TEL
  • MAIL
  • ご依頼の流れ
  • 質問