機能性酸化物ウェハ、パワーエレクトロニクス用SiCウェハ中の極微量元素分析

• パワーデバイスの電気特性に大きく影響する、SiCウェハの表面汚染物質の分析が可能です。清浄度評価項目として超微量不純物の定量分析が不可欠です。
• 極微量不純物定量技術を応用し、Siなどの半導体基板・ウェハや材料表層の金属不純物の迅速かつ高感度な定量、定性分析結果を提供します。

ICP-MS（ICP質量分析）を用い、65元素の定性（半定量）分析した後、指定した元素を定量分析します。

対象元素によりますが、10 ⁹ atoms/cm²～10 ¹² atoms/cm²の検出下限での分析が可能です。（3inchウェハ両面分析時）

分析手順

クリーンルーム内での試料調製・測定

ICP質量分析（ICP-MS）

定性（半定量）分析での定量下限

• 無機材料・セラミックに関する分析
• 電子部品、電子デバイスの解析・調査
• SiCパワーデバイスの表面汚染分析 [事例集PDF]
• ICP質量分析法による高純度材料・製品の 多元素同時分析 [事例集PDF]