
新たに極低加速電圧SEMにEBSP機能を付加しました!!
極低加速電圧SEM ZEISS社製ULTRA55により、あなたの問題解決に、最先端技術の材料開発に、新たな手段を提供します!!
| 電子銃 | Shcottoky型FE電子銃 |
| 加速電圧 | 100V~30kV |
| 試料サイズ最大 | φ200mm |
| 分解能 | 1.0nm@15kV 1.7nm@1kV 4.0nm@100V |
| 倍率 | 12×~300,000× |
| 分析機能 | EDX: Thermo ELECTRON社製NSS300 EBSP: EDAX(TSL)社製 Hikari High Speed EBSD Detector |
| 分野 | 事例 |
|---|---|
| 電子・電気 | 電子デバイスにおける積層膜構造(欠陥の特定) |
| ワイヤボンディング部の断面観察、EDX分析 | |
| フォトレジストの形態観察 | |
| ウエハの表面汚染 | |
| Pbフリー化実装部品の観察 | |
| 磁性材料・圧電素子、誘電体・蛍光体の観察 | |
| 化合物半導体超格子構造の断面観察 | |
| 化合物半導体表面のステップ観察 | |
| 薄膜・表面処理 | 機能性薄膜(金属・半導体・無機物・ポリマー)の断面観察 |
| 皮膜表面の形態・粗さの観察 | |
| ポリマー基板上の金属薄膜の観察 | |
| 表面処理材料の断面観察:皮膜の内部構造や皮膜/基板界面の微細構造観察 | |
| 多層光学ガラス断面の観察・分析 | |
| Cuめっきにおける結晶方位分布のEBSP測定 | |
| 光ディスク記録層における書き込み部の観察 | |
| 光ディスク記録層における書き込み部のEBSP | |
| DLC皮膜の表面観察 | |
| 金属・鉄鋼 | 金属・鉄鋼における非金属析出物、(複合)介在物の観察 |
| 金属間化合物(サブミクロン以下)の観察 | |
| 鉄鋼材料の表面酸化物分布 | |
| 異種金属接合界面の観察 | |
| 破面や摺動面の微視的構造観察 | |
| 鉄鋼材料の残留オーステナイト相分布のEBSP測定 | |
| 腐食 | 鉄鋼材料における腐食生成物の断面微細構造観察、EDX分析 |
| 薄膜表面の微細な腐食生成物(サブミクロンレベル)の観察 | |
| 金属表面酸化物の観察 | |
| セラミクス | 異なる酸化物結晶粒(界面)の観察・分析 |
| セラミクス表面のnmレベルの粗さ観察 | |
| セラミクス微粒子(nm~μm各種)の形態観察 | |
| 機能性ガラスの断面観察 | |
| コンクリート・スラグ・酸化物カリウム肥料の組織観察 | |
| 高分子 | エンジニアリングプラスティックの表面観察 |
| ゴムの添加材の観察 | |
| 炭素材料 | CNTの観察 |
| 触媒 | 各種触媒(金属、酸化物など)の形態観察、元素分布 |
| 製紙 | パルプ、表面コーティング層の観察 |
| 薬品・生体・その他 | 無機物・有機物の添加状態観察 |
Siウエハ上に付着した有機物を、何も蒸着しないで、極低加速電圧(100V)で観察しました。有機物の表面は均一ではなく、表面にかなり凹凸の存在するものであることがわかりました。また、中央の大きな有機物の周辺には、100 nm程度の小さな粒子が全面に存在している様子が見られました。
従来のSEMの条件(15kV)では、表面形状はほとんど見られません。1kVでは、チャージアップのため、形状観察は困難です。
![]() |
| 極低加速電圧での、Siウエハ上に付着した有機物の観察 試料処理:無、加速電圧:100V |
|---|
陽極酸化したアルミ電解コンデンサにおいて、金属Al(明るいコントラストの部分)表面に、アルミナ(暗いコントラストの部分)が形成されていることがわかります。高倍率の観察により、アルミナは柱状晶に成長していることもわかります。
この観察も、何も蒸着しないで行いました。
試料ご提供:NEC殿
![]() |
| 低加速電圧でのアルミ電解コンデンサ(Al陽極酸化皮膜)の観察 試料処理:無し、加速電圧:1.25 kV |
|---|
レーザーで書き込みされた市販のDVD-RWを観察しました。記録層表面を何もしないで、インレンズSE検出器で観察すると、レーザー照射されアモルファス化した部分のコントラストが、周囲の結晶部分とは異なっています。このコントラストの違いから記録された部分を特定することができます。
![]() |
| 市販DVD-RWにおける記録層表面の観察 加速電圧:400V |
|---|
電子ビーム径が小さいままで加速電圧を小さくすることにより、EDS分析の空間分解能も30nm程度と、従来思われた1μm程度より1~2桁以上小さくなり、サブミクロン領域の分析が可能となりました。図に示したワイヤボンディング部の断面では、AuやAlだけでなく、100nm程度のW薄膜が明瞭に分析できています。また、ピークの重なるSiとWも、スペクトラルマッピングにより分離できています。
![]() |
| Auワイヤボンディング部のEDS分析 加速電圧:4 kV |
|---|
GaAs/AlAs超格子薄膜断面の分析例では、25nmのGaAs層およびAlAs層がそれぞれ分離して分析でました。
![]() |
| GaAs/AlAs超格子薄膜断面の模式図 |
|---|
極低加速電圧SEMに組み合わせることでEBSPも高分解能な測定が可能になりました。
サブミクロンサイズのCuめっきの組織の結晶方位マッピングが得られました。
![]() |
| Cuめっきの結晶粒観察 表示モード:EBSP結晶方位マッピング |
|---|
従来、マルテンサイト中の残留オーステナイト相(γ- Fe相)は細かい上、マルテンサイト相に歪が多いため、EBSP解析が困難でした。極低加速電圧SEMに組み合わせることで、EBSP測定の空間分解能が高くなったことにより、サブミクロンサイズの残留オーステナイト相の分布が得られました。
![]() |
| 鋼中オーステナイト相の分布 表示モード:EBSP相分布像 |
|---|
極低加速電圧SEMに組み合わせたEBSPによる、市販DVD記録層薄膜(10nm程度)でも、サブミクロンレベルの記録部(アモルファス相)と未記録部(結晶相)とを区別できました。
![]() |
| 市販DVDの記録層の観察 表示モード:Image Quality像、加速電圧:8kV |
|---|