Cs補正STEM、TEMを用いたSiC系パワーデバイスMOSFETの
ゲート酸化膜/SiC界面のEELS・EDX分析

原子スケールでのゲート酸化膜/SiCウエハ界面近傍の元素分布・化学状態を解明

• Cs補正STEM（収差補正型走査透過電子顕微鏡）、TEMを活用することにより、パワーデバイス用ゲート酸化膜/SiCウエハ界面近傍の化学状態（C（炭素）、O（酸素）、Si（ケイ素））や元素分布を解析できます。
• 薄膜・表面処理/基板界面における原子スケールでの解析も可能です。

分析事例

Cs補正STEM-EDX-EELSは、1nm以下の界面の元素分布・化学状態の評価が可能なため、SiO2酸化皮膜が形成された4H-SiCにおいて、EDX線分析より、SiC基板とSiO2との界面幅が1nm以下と急峻であること、EELSスペクトルから、界面でSiと結合していないCもわずかに存在することがわかります。

試料ご提供：奈良先端科学技術大学　矢野先生