原子を可視化する収差補正型走査透過電子顕微鏡（Cs補正STEM）

Cs補正STEMを用いるとナノスケールの微細構造解析が可能です

• LSIや発光素子などの電子部品や電池など、ナノレベルの微細構造設計が要求されている分野で、従来TEM（透過電子顕微鏡）に比べ1桁小さい、0.1nmの極微小部分を観察できるCs補正STEMが威力を発揮します。

  原子・分子レベルの観察・分析を可能にするCs補正STEMにより、皆様の材料開発やトラブルシューティングに新しい視点を提供いたします。

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Cs補正STEMの特徴

• 装置：日本電子製 ARM-200F

  • 60kVから原子像取得が可能（max 200kV)
    STEM分解能：0.08nm（従来STEM：0.2nm）
    HAADF-ABF検出器によるSTEM像
  • ダメージを抑えた観察が可能
    60kVの低加速電圧観察
    クライオステージを用いた観察
  • 最新鋭の分析機能
    冷陰極電子銃によるｴﾈﾙｷﾞｰ分解能＜0.4eVを実現
    Dual-EELSと大口径(100mm2)SDDによる高速化
  • 豊富なオプション機能と周辺設備
    大気非暴露、3次元トモグラフィ
    クライオFIB-SEM、グローブボックス、
    Arイオンミリング

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適応可能な分野

• 電子材料

  • 超格子薄膜・多層薄膜の積層構造解析。
  • LSI、LEDなど電子部品の微細構造の解析。
  • 磁気ヘッドの観察。量子ドット・量子細線の観察。

• 金属・セラミック材料

  • 表面改質層・酸化層の観察。
  • 微細析出物、粒界偏析の解析。

• 電池材料

  • リチウムイオン二次電池の正極材料・負極材料の観察。
  • 燃料電池用触媒の観察。

• 表面処理

  • 表面処理皮膜・界面構造、接合層の解析。

• 超微粒子

  • 形状観察、触媒微粒子の観察。

• 炭素材料（CNT、ナノカーボン、CLC、グラフェン、フラーレン、CNH）

適用事例

• 電子材料・半導体

  • パワー半導体用3C-SiCエピ基板の積層欠陥観察
  • GaN系化合物半導体の積層構造の観察（クライオ機能つきFIBの効果）
  • TiSrO3の原子スケールEDXマッピング
  • SiC系パワーデバイスMOSFETのゲート酸化膜/SiC界面のEELS・EDX分析
  • GaAs/AlGaAs超格子の原子配列観察
  • GaAs/AlGaAs超格子の分析
  • LEDのTEM観察
  • LEDの電子エネルギー損失分光法(EELS)による原子レベルマッピング分析
  • Cs補正STEMによるEDX原子分解能マッピング次世代メモリーの分析事例

• 触媒・超微粒子・ナノ材料

  • 自動車燃焼触媒用貴金属微粒子の担体上の原子スケールの観察
  • 自動車燃焼排ガス触媒用貴金属微粒子の担体上の分布
  • Pt触媒の微細TEM観察
  • カーボンナノチューブ（CNT）のダメージフリー観察

• 金属材料・鉄鋼材料・その他

  • Ni基合金における整合析出した金属化合物のCs補正STEM観察
  • TEMによる窒化ほう素の結晶性の解析
  • TEMによる高合金鋼中析出物の観察
  • TEMによる亜鉛めっき皮膜の断面観察
  • ネオジム磁石のCs補正STEMによる粒界分析